ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ДИАРСЕНИДА КАДМИЯ

А. В. Мудрыйа*, А.И. Патука, В. М. Трухана, И. А. Шакина, С.Ф. Маренкинб

УДК 621.315.592

аИнститут физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси,

220072, Минск, ул. П. Бровки, 17

бИнститут общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва

(Поступила 23 декабря 1996)
Исследована низкотемпературная (4,2—78 К) фотолюминесценция монокристаллов диарсенида кадмия, выращенных из газовой фазы и методом Бриджмена. Обнаружено излучение в области края фундаментального поглощения, обусловленное аннигиляцией свободных экситонов с одновременной эмиссией фононов (линии 1,0029 и 0,9840 эВ при 4,2 К). Проведены оценки величины оптической ширины запрещенной зоны при 4,2 К.