ВЛИЯНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ НА СКОРОСТЬ ДЕГРАДАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В AlGaAs-ГЕТЕРОСВЕТОДИОДАХ

В. И. Апанасевич, И. А. Бочарова*, С. А. Малышев

УДК 612.383.4

Институт электроники НАН Беларуси,

220090, Минск, Логойский тракт, 22

(Поступила 12 марта 1997)
Методом туннельной спектроскопии исследован энергетический спектр глубоких уровней в обедненной области p—n-перехода AlGaAs гетеросветодиодов. Показано, что скорость изменения прямого тока, характеризующая интенсивность деградационных процессов в светодиодах, взаимосвязана с электронными состояниями структурных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) p—n-перехода. Максимальное значение этого параметра определяется присутствием в ОПЗ p—n-перехода донорных комплексов с энергиями ионизации 0,99 и 1,1 эВ.