ОСОБЕННОСТИ CПЕKTPOB ЭПР РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ LiF
И NaF
О. Н. Билана, С. А. Михновб*
УДК 543.42:535.33/34:539.2
а Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси
б Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси,
220072, Минск, просп. Ф. Скорины, 70
(Поступила 6 июля 1995, в окончательной редакции — 26 июня 1997)
С целью уточнения структуры радиационных дефектов сопоставлены спектры
ЭПР кристаллов LiF и NaF c различным примесным составом, g -облученных
разными дозами, а также сопоставлены экспериментально измеренное и расчетное
распределения интенсивности линий СTC в спектрах ЭПР этих кристаллов. Показано,
что за широкую полосу, наблюдаемую независимо от примесного состава кристаллов
и дозы облучения, могут быть ответственны F-центры, моделью которых является
ионизованная квазимолекула из двух, расположенных по обе стороны от галоидной
вакансии, атомов металла, а за СТС — дефекты на основе внедренных атомов
галоида.
Ключевые слова: дефект радиационного смещения, сверхтонкая
структура, отжиг, насыщение.