|
ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
|
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК р-CuInSe2,
ПОЛУЧЕННЫХ ИМПУЛЬСНЫМ ЛАЗЕРНЫМ ИСПАРЕНИЕМ
В. А. Иванов*, И. А. Викторов, В. Ф. Гременок
УДК 621.315.592
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси,
220072, Минск, ул. П. Бровки, 17
(Поступила 24 октября 1997)
Методом фазочувствительного детектирования проведено исследование
спектров фотопроводимости поликристаллических пленок р-CuInSe2,
полученных в вакууме методом импульсного лазерного испарения исходных монокристаллов.
Показано, что пленки, в отличие от монокристаллов, характеризуются монополярной
фотопроводимостью в примесной и собственной областях оптического поглощения
и линейным механизмом рекомбинации неравновесных носителей заряда при интенсивностях
освещения 0—100 мВт/см2 в температурном интервале 80—300 К.