ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ


ИССЛЕДОВАНИЕ ФОНОННЫХ ПОЛЯРИТОНОВ В СВЕРХРЕШЕТКАХ GaAs/GaPAs МЕТОДАМИ ОТРАЖАТЕЛЬНОЙ ИК СПЕКТРОСКОПИИ

Е. Ф. Венгерa, А. В. Гончаренкоa, О. С. Горяб, Н. Л. Дмитрукa, В. Р. Романюкa*

УДК 548.75,621.375.8

a Институт физики полупроводников НАН Украины,

252650, Киев, просп. Науки, 45

б Государственный университет Молдовы, Кишинев

(Поступила 11 марта 1998)
Методами нарушенного полного внутреннего отражения и ИК спектроскопии отражения в области остаточных лучей исследованы фонон-поляритонные моды в длиннопериодных полупроводниковых сверхрешетках GaAs/GaPAs. Экспериментально наблюдали возбуждение волноводных, реальных и виртуальных поверхностных и объемных фононных поляритонных мод. Проведены расчет и сравнение с экспериментом их дисперсионных зависимостей и идентифицирована природа возбуждений с помощью спектров диэлектрической проницаемости и нормальной компоненты волнового вектора в слоях гетероструктуры.

Ключевые слова: сверхрешетка, поверхностный поляритон, дисперсия, анизотропная пленка, фонон, нарушенное полное внутреннее отражение.