660657

ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПРОПУСКАНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ As₂S₃—Ge₂S₃

О. И. Шпотюк^а,б*, Е. Р. Скордева^в, Р. Я. Головчак^а, В. Д. Памукчиева^в, А. П. Ковальский^а

УДК 539.216.2

^аЛьвовский НИИ материалов НПП “Карат”, Украина,

290031, Львов, ул. Стрыйская, 202

^бИнститут физики, Высшая педагогическая школа, Польша, Ченстохова

^в Институт физики твердого тела Болгарской АН, София

(Поступила 20 апреля 1998) Изучены радиационно-оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As₂S₃—Ge₂S₃ в области топологического 2D—3D-фазового перехода. Показано, что g-облучение образцов поглощенной дозой 4.4^.10⁶ Гр приводит к длинноволновому сдвигу спектрального положения их края оптического пропускания. Наблюдаемый эффект зависит от структурного типа исследуемых стекол и существенно изменяется вблизи 2D—3D-фазового перехода. Обнаружены две составляющие сдвига края пропускания: статическая, остающаяся постоянной длительное время после облучения образцов, и динамическая, постепенно затухающая в течение 2—3 месяцев. Предполагается, что микроструктурный механизм данных изменений обусловлен процессами координационного дефектообразования в структурном каркасе образцов.

Ключевые слова: халькогенидный стеклообразный полупроводник, спектр пропускания, край поглощения, g-облучение, радиация, поглощенная доза.