М. С.Димитриевич*^a, С. Саха-Брешо^б

11050, Белград, Волгина, 7,

e-mail: mdimitrijevic@aob.aob.bg.yu

^б Обсерватория Париж-Мейдон, Франция

С использованием полуклассического подхода рассмотрены ширины и сдвиги спектральных линий для 20 мультиплетов In III и 2 мультиплетов Tl III, обусловленные соударениями с электронами, протонами и ионами гелия при плотности возмущающих частиц 10¹⁷ см^–3 и температурах 20000—500000 K. Для 2 мультиплетов Pb IV аналогично рассмотрены ширины и сдвиги спектральных линий, обусловленные соударениями с электронами, протонами и ионами HeIII при плотности возмущающих частиц 10¹⁷ см^–3 и температурах 50000—1000000 K.

Ключевые слова: штарковское уширение спектральных линий, полуклассический подход, ударная ширина спектральной линии, сдвиг спектральной линии.