|
ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
|
ВЛИЯНИЕ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ
ПОЛЕЙ НА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ
КРИСТАЛЛОВ ZnS И ZnO
В. А. Никитенко*, Е. А. Серов, С. В.
Мухин, С. Г. Стоюхин
УДК 543.424
Московский государственный университет путей
сообщения, Россия,
103055, Москва, ул. Образцова, 15
(Поступила 29 июня 1998)
Показано, что изменения характеристик
люминесценции сульфида и оксида цинка при внешних воздействиях, изменяющих
поверхностный заряд, связаны с изменением параметров приповерхностных барьеров
и могут быть объяснены в рамках модели, учитывающей разделение рекомбинирующих
партнеров в барьерах Шоттки. Предложен барьерный механизм влияния приповерхностной
области кристалла на экспериментально измеряемые параметры люминесценции
и показано, что возможные ошибки при измерении этих параметров могут составлять
10 % и более в зависимости от глубины проникновения света.
Ключевые слова: люминесценция,
барьер, спектр, рекомбинация, фотозаряд, девозбуждение, поглощение, тушение.