Исследованы фотоструктурные превращения в стеклообразных пленках Ge—S методом люминесценции и комбинационного рассеяния света. Обсуждается появление новой коротковолновой полосы в спектрах люминесценции обогащенных серой образцов Ge—S в результате их облучения светом Не—Сd-лазера и последующей релаксации. Для объяснения полученных результатов привлекается модель фотоструктурных превращений, в которой решающая роль отводится уединенным электронам атомов халькогена.

Ключевые слова: Ge—S-стекла, люминесценция, фотоструктурные изменения, халькогенидный полу-проводник.