Исследованы свойства пленок GaN, полученных методом радикало-лучевой гетерирующей эпитаксии (radical beam gettering epitaxy). При комнатной температуре в спектрах фотолюминесценции наблюдается слабый пик 3.37 эВ, основная полоса излучения находится в диапазоне 1.7—2.0 эВ. При температуре 4.2 К присутствует полоса с энергией 3.47 эВ. В спектре доминируют донорно-акцеп-торный переход с максимумом 3.26 эВ и его фононное повторение. Наблюдаются также широкая желтая полоса с максимумом 2.10 эВ и слабый пик 2.88 эВ. Методом электронной оже-спектро-скопии установлено, что основными элементами, входящими в состав пленки, являются галлий и азот. Рентгеноструктурные исследования показали, что пленки имеют гексагональную структуру.

Ключевые слова: радикало-лучевая гетерирующая эпитаксия, радикал азота, фотолюминесценция, электронная оже-спектроскопия.