Методом спектральной эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации определены дисперсии показателей преломления n, поглощения k и толщины слоев в многослойных структурах ZnS/ZnSe, выращенных методом химического газофазного осаждения из элементоорганических соединений на GaAs-подложках c буферными слоями ZnSe. Продемонстрирована эффективность локальных эллипсометрических измерений (размер светового пучка менее 150´500 мкм), позволяющих картографировать параметры структур со слоями А²В⁶ толщиной вплоть до нескольких микрон. Изучены оптические свойства оксидных слоев, формирующихся на поверхности селенида цинка. Исследованы многослойные структуры (ZnSe/ZnS)_n /ZnSe/GaAs с ярко выраженным экситонным поглощением и особенностями в спектрах отражения, совпадающими по энергии с экситонными переходами, а также брэгговские зеркала с коэффициентом отражения до 99 % в синей области спектра.

Ключевые слова: спектральная эллипсометрия, монокристаллическая пленка, многослойная структура, оптические характеристики, экситон, брэгговские зеркала.