Предложена модель сужения запрещенной зоны, обусловленного легированием кристаллических полупроводников водородоподобными примесями с учетом следующих факторов: пространственных флуктуаций электростатического потенциала, обменного взаимодействия основных носителей заряда, экранирования неосновного носителя заряда облаком основных, а также туннелирования на уровне протекания. Рассчитана зависимость положения максимума полосы краевой люминесценции от концентрации примесей для степеней их компенсации от слабой до промежуточной. Результаты согласуются с экспериментальными данными для криогенных температур в широком диапазоне изменения равновесной концентрации электронов (дырок).

Ключевые слова: сильно легированные кристаллические полупроводники, краевая люминесценция, водородоподобные примеси, ширина запрещенной зоны.