РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ ZnTe С p—n-ПЕРЕХОДОМ,
СФОРМИРОВАННЫМ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ
В. Н. Иодко*a, В. П. Грибковскийa, А. К. Беляеваa,
Ю. Р. Супрун-Белевичб, Ж. А. Кетькоа
УДК 621.315.592
а Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси,
220072, Минск, просп. Ф. Скорины, 70
б Белорусский государственный университет
(Поступила 10 апреля 1997)
Исследована излучательная рекомбинация в диодах на ZnTe, изготовленных
на основе p—n-перехода, полученного методом лазерного легирования
кристаллов донорной примесью Al. Измерены спектры электролюминесценции
при возбуждении диодов постоянным током плотностью до 3 А/см2
и спектры фотолюминесценции при 80 и 300 К. Проведенное сравнение спектров
фотолюминесценции подложки p-ZnTe и спектров электролюминесценции при 80
К позволяет считать, что излучательная рекомбинация в диодах происходит
в легированной Al области кристалла. В спектрах электролюминесценции диодов
при 80 К наблюдалась неизвестная ранее полоса с энергетическим положением
максимума 2,276 эВ, которую можно связать с излучательными переходами между
донорным уровнем атома Al и валентной зоной. Впервые в излучении диодов,
изготовленных на основе ZnTe, легированного донорами, отсутствовали длинноволновые
полосы, связанные с участием в излучательной рекомбинации глубоких компенсирующих
центров.
Ключевые слова: теллурид цинка, излучательная рекомбинация,
p—n-переход, лазерное легирование.