270029, Одесса, ул. Дидрихсона, 8
Рассчитана кинетика спадания интенсивности электролюминесценции после
пропускания П-импульса тока в p—n-переходе с неоднородностями, в
частности, скоплениями дислокаций. Основные допущения: после пропускания
П-импульса тока часть электронов, инжектированных в тонкую р-область,
экстрагируется в n-область, в то время как столько же электронов
инжектируется в неоднородность и рекомбинирует там безызлучательно; интенсивность
безызлучательной рекомбинации на неоднородности ограничена дрейфом основных
носителей заряда (утечками). Показано, что безызлучательная рекомбинация
на неоднородностях приводит к неэкспоненциальной кинетике электролюминесценции,
мгновенное время релаксации которой уменьшается со временем.
Ключевые слова: р—n-переход, светодиод, полупроводниковый
лазер, электролюминесценция, кинетика, дислокация, неоднородность, безызлучательная
рекомбинация, время жизни.