ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ МОНОКРИСТАЛЛОВ p-CuGaSe2
И. В. Боднарьа*, В. А. Ивановб
УДК 621.315.592
а Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220069, Минск, ул. П. Бровки, 6
б Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
(Поступила 27 марта 1997)
Проведено исследование температурных зависимостей спектральных полос
и внешнего квантового выхода краевой фотолюминесценции (ФЛ) монокристаллов
р-CuGaSe2, полученных методом химических транспортных реакций.
Определены энергии активации акцепторных уровней, и показано, что ниже
температуры Дебая температурная зависимость интенсивности ФЛ определяется
акцепторным уровнем 35 мэВ, а выше —150 мэВ. Спектры краевой ФЛ при 300
и 80 К определяются преимущественно зона-зонными оптическими переходами.
Ключевые слова: халькопиритные полупроводники, фотолюминесценция,
квантовый выход.