ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ
СТРУКТУР In/p-(Cu, Ag)Ga(Se, Te)2

И. В. Боднарьа*, В. Ф. Гременока , О. Н. Образцоваа, Л. В. Русака,

В. Ю. Рудьб, Ю. В. Рудьб

УДК 535.541

а Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,

220600, Минск, ул. П. Бровки, 6

б Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Россия

(Поступила 31 октября 1997)
На монокристаллах AgGaSe2, AgGaTe2, CuGaTe2 p-типа вакуумным термическим осаждением индия изготовлены поверхностно-барьерные структуры, при освещении которых наблюдался фотовольтаический эффект. Установлено, что длинноволновый край фоточувствительности таких структур содержит несколько перегибов, обусловленных фотоактивным поглощением с участием уровней дефектов решетки. Показано, что поверхностно-барьерные структуры
In/p-(Cu,Ag)Ga(Se,Te)2 могут быть использованы в качестве широкополосных преобразователей и фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.