66383

ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ЧАСТИЦАМИ

Ф. П. Коршунов, Т. П. Ларионова, А. В. Мудрый*, А. И. Патук, И. А. Шакин

УДК 621.315.592

Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси,

220072, Минск, ул. П. Бровки, 17

(Поступила 3 февраля 1998) С использованием низкотемпературной (4.2—78 К) фотолюминесценции изучены процессы дефектообразования в пленках кремния на сапфире, облученных частицами высоких энергий (электроны, g -кванты ⁶⁰Со). Установлено, что атомы углерода как остаточной технологической примеси участвуют в образовании центров люминесценции, стабильных до температур отжига ~ 550 К. Для углеродсодержащих центров обнаружен сдвиг спектральных линий по отношению к их положению в спектрах монокристаллического кремния. Предполагается, что это спектральное смещение связано с наличием в пленках кремния внутренних напряжений ~ 5 ^. 10⁸ Н/м^2.

Ключевые слова: люминесценция, пленка кремния, облучение, дефект.