ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

ЭКСИТОННОЕ ОТРАЖЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZnSe С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

Ю. П. Ракович

УДК 535.337

Брестский политехнический институт, Беларусь,

224017, Брест, ул. Московская, 267

 

(Поступила 17 апреля 1998)
С использованием многослойной модели приповерхностной области монокристаллов ZnSe проанализирован механизм формирования полосы экситонного отражения. Показано, что возникновение тонкой структуры (спайка (spike)) в спектрах отражения при больших значениях параметра затухания экситона обусловлено влиянием поверхностного электрического поля и экситонного эффекта Штарка. Из сравнения экспериментальных и расчетных контуров спектра отражения определены значения энергии экситонного резонанса и параметра затухания свободных экситонов при изменении температуры от 12 до 100 К. В рамках использованной модели сделаны оценки поверхностной концентрации заряженных центров и характеристик области пространственного заряда.

Ключевые слова: спектр отражения, форма спектральной полосы, экситон, электрическое поле, область пространственного заряда, ZnSe.