|
ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ФОНОННЫХ ПОЛЯРИТОНОВ В СВЕРХРЕШЕТКАХ GaAs/GaPAs МЕТОДАМИ
ОТРАЖАТЕЛЬНОЙ ИК СПЕКТРОСКОПИИ
Е. Ф. Венгерa, А. В. Гончаренкоa, О. С. Горяб,
Н. Л. Дмитрукa, В. Р. Романюкa*
УДК 548.75,621.375.8
a Институт физики полупроводников НАН Украины,
252650, Киев, просп. Науки, 45
б Государственный университет Молдовы, Кишинев
(Поступила 11 марта 1998)
Методами нарушенного полного внутреннего отражения и ИК спектроскопии
отражения в области остаточных лучей исследованы фонон-поляритонные моды
в длиннопериодных полупроводниковых сверхрешетках GaAs/GaPAs. Экспериментально
наблюдали возбуждение волноводных, реальных и виртуальных поверхностных
и объемных фононных поляритонных мод. Проведены расчет и сравнение с экспериментом
их дисперсионных зависимостей и идентифицирована природа возбуждений с
помощью спектров диэлектрической проницаемости и нормальной компоненты
волнового вектора в слоях гетероструктуры.
Ключевые слова: сверхрешетка, поверхностный поляритон,
дисперсия, анизотропная пленка, фонон, нарушенное полное внутреннее отражение.