ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ЦИНК-СУЛЬФИДНЫХ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ

В. П. Гранкин, В. Ю. Шаламов*

УДК 538. 915
Приазовский государственный технический университет, Украина,

341000, Мариуполь, пер. Республики, 7;

e-mail: shalamov@pstu.edu

(Поступила 8 июля 1998)

Разработан оптический метод гетерогенной спектроскопии поверхности, позволяющий определять энергетическое положение электронных состояний собственно на поверхности широкозонных твердых тел. В основу метода положено обнаруженное нами новое явление — высокоэффективная гетерогенная электронная аккомодация энергии гетерогенных химических реакций, заключающееся, в частности, в увеличении на 3—5 порядков величины скорости генерации электронов энергией реакции в С-зону кристалла, находящегося в метастабильном состоянии, по сравнению с невозбужденным образцом. Определены энергетические глубины электронных состояний, участвующих в аккомодации энергии реакции гетерогенной рекомбинации атомов, для большого числа цинксульфидных кристаллофосфоров.

Ключевые слова: электронные состояния, кристаллофосфор,гетерогенная хемилюминесценция.