Исследованы композиционные слои, сформированные в SiO₂ имплантацией ионов Cu⁺ энергией 50 кэВ, дозой 8 × 10¹⁶ см^-2 при плотности ионного тока 10 мкА/см². Показано, что ионная имплантация при выбранных условиях позволяет синтезировать в приповерхностной области диэлектрика наночастицы меди. Изучено воздействие на композиты мощных импульсов криптонового эксимерного лазера на длине волны в области прозрачности SiO₂. В отсутствие эффективного оптического поглощения стеклянной подложкой динамика изменения структуры слоя с металлическими наночастицами обусловливается количеством лазерных импульсов. Установлено, что на начальном этапе импульсного облучения наблюдается фрагментация наиболее крупных наночастиц, затем в результате незначительного разогрева стеклянной матрицы происходит обратный процесс их укрупнения, а дальнейшее лазерное воздействие приводит к эффективному аккумулированию энергии в частицах и, как следствие, к их плавлению и диссоциации на мелкие кластеры и отдельные атомы.

Ключевые слова: ионная имплантация, наночастица, лазерное воздействие, плазменный резонанс, спектр отражения.