Приведены результаты температурных исследований (77—520 К) фотолюминесценции (ФЛ) низкоомных монокристаллов ZnS, отожженных в расплавах на основе висмута. Показано, что ионный состав среды отжига оказывает определяющее влияние на формирование примесно-дефектного состава излучательных центров. Основной вклад в излучение ФЛ приписывается центрам на основе вакансий серы, цинка, алюминия и хлора. В приповерхностной области и в объеме кристалла спектры ФЛ различаются. Спектры ФЛ в приповерхностной области кристалла определяются сложными висмутовыми центрами и соответствуют характерным особенностям внутрицентровых переходов. Предлагаются две возможные модели излучательных центров: (V_Zn^/-Bi_Zn· )´ и (DX)-центр. Обнаружено, что одновременное воздействие излучения импульсного азотного лазера и нагрева от 410 до 510 К разрушает излучательные висмутовые центры и приводят к образованию преципитатов Bi₂S₃ и BiS₂.

Ключевые слова: фотолюминесценция, сульфид цинка, примесь, излучательный центр, термический отжиг.