|
ОПТИЧЕСКИЕ РАЗМЕРНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ТОНКИХ СЛОЯХ ЗОЛОТА И АТОМАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
С. А. Коваленко, М. П. Лисица*
УДК 535.323:539.216
Институт физики полупроводников НАН Украины,
03650, Киев, просп. Науки, 41; e-mail: lisitsa@isp.kiev.ua
(Поступила 30 октября 2001)
исследованы оптические размерные явления, проявляющиеся в толщинных зависимостях показателей преломления n и поглощения k, величины квазибрюстеровского угла тонких слоев золота. в интервале толщин 20 < d < 180 Å все они имеют осциллирующий характер. На основе опубликованных ранее экспериментальных данных об энергетических коэффициентах пропускания T и отражения R тонких слоев атомарных полупроводников (Se, Te, Ge, Si) выполнены новые расчеты толщинных зависимостей n и k без упрощающих предположений, приводящих к неправильным результатам. Детально проанализированы погрешности определения оптических постоянных тонких слоев по фотометрическим данным. Установлены причины допущенных ранее ошибок в работах, , посвященных такого рода исследованиям.
Ключевые слова: тонкие слои золота, селена, теллура, германия, кремния;, размерный эффект, показатель преломления, показатель поглощения.