690520

ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР In/CuIn₃Se₅ и In/CuGa₃Se₅

И. В. Боднарь ^а*, Т. Л. Кушнер ^а, В. Ю. Рудь ^б, Ю. В. Рудь ^в, М. В. Якушев ^г

УДК 535.541

^{а Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,

220027, Минск, ул. П. Бровки, 6; e-mail: chemzav@gw.bsuir.unibel.by
^бСанкт-Петербургский государственный технический университет, Россия
^в Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
^гСтратклайдский университет, Глазго, Великобритания

(Поступила 18 января 2002)

Методом направленной кристаллизации расплава (вертикальный вариант) выращены однородные монокристаллы тройных соединений CuIn₃Se₅ и СuGa₃Se₅. На их основе впервые созданы фоточувствительные структуры, исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования структур и определена ширина запрещенной зоны тройных соединений. Установлено, что cоединения CuIn₃Se₅ и CuGa₃Se₅ являются материалами с прямыми межзонными переходами. Показано, что созданные структуры можно использовать в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.

Ключевые слова: относительная квантовая эффективность, фотопреобразование, монокристалл, тройное соединение.}