Получены тонкие пленки сцинтилляторов Bi₄Ge₃O₁₂, Bi₄Si₃O₁₂, PbWO₄ и Bi₂WO₆ и исследованы их люминесцентные свойства при рентгеновском возбуждении. Измерены спектры рентгенолюминесценции и установлен линейный характер зависимости интенсивности люминесценции от мощности дозы рентгеновского облучения в пределах до 3×10^–3 А/кг. Исследована радиационная стойкость полученных пленок. Показана возможность их применения для детектирования ионизирующего излучения. Наиболее приемлемы пленки на основе Bi₄Ge₃O₁₂ с примесью активатора Ge, Si или Mn до 1.5 мол. %.

Ключевые слова: люминесценция, тонкая пленка, германат висмута, вольфраматы висмута и свинца.